中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)蔣建華教授、中國科學(xué)院物理研究所黃鑫副研究員來所交流訪問并作學(xué)術(shù)報告
7月12日下午，應(yīng)創(chuàng)新實驗室（i-Lab）邀請，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)蔣建華教授、中國科學(xué)院物理研究所黃鑫副研究員來蘇州納米所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，并作學(xué)術(shù)報告，報告會由創(chuàng)新實驗室張凱研究員主持，眾多師生現(xiàn)場參與并積極交流討論。
蔣建華教授以“Unveiling topological phenomena at defects”為題作了精彩的學(xué)術(shù)報告，他聚焦于室溫光子和聲子系統(tǒng)的新穎拓?fù)湮飸B(tài)研究，特別是在“拓?fù)潴w-缺陷對應(yīng)關(guān)系”、高階拓?fù)鋺B(tài)、非阿貝爾拓?fù)鋺B(tài)等方面做了一系列開拓性的工作。在本次報告中，蔣教授將系統(tǒng)的邊界拓?fù)洮F(xiàn)象擴展到了缺陷拓?fù)洮F(xiàn)象。他從拓?fù)洳牧系奶匦猿霭l(fā)，介紹了拓?fù)湮锢韺W(xué)中的位錯、貝利相、邊界態(tài)、分?jǐn)?shù)電荷等基本拓?fù)涓拍?，接著通過兩個例子詳細(xì)介紹了拓?fù)潴w—缺陷對應(yīng)關(guān)系，表明缺陷具有豐富的結(jié)構(gòu)，可以引發(fā)前所未有的獨特拓?fù)洮F(xiàn)象。
黃鑫副研究員作了題為“二維材料異質(zhì)結(jié)能帶調(diào)控與光電器件研究”的學(xué)術(shù)報告。他主要從事新一代半導(dǎo)體材料光電器件研究，特別聚焦于第三代半導(dǎo)體與新型二維半導(dǎo)體的電荷、能谷和自旋等自由度特性，開發(fā)這些自由度在新型信息器件中的應(yīng)用。在本次報告中，他從后摩爾時代集成電路的發(fā)展以及光電集成技術(shù)發(fā)展歷程引入，首先詳細(xì)介紹了壓電極化能帶工程對于III-V氮化物能帶結(jié)構(gòu)及光電器件的調(diào)制特性，隨后介紹了超表面集成多維度二維光電探測與神經(jīng)形態(tài)器件的研究以及光電憶阻器實現(xiàn)光感存算一體架構(gòu)的視覺感知研究。
蔣建華教授和黃鑫副研究員的報告通過將嚴(yán)密的理論、仿真結(jié)果驗證和豐富而新奇的實現(xiàn)現(xiàn)象相結(jié)合，分別展示了拓?fù)湮飸B(tài)和低維材料的豐富物性，給在場師生帶來了一場精彩的學(xué)術(shù)盛宴。報告結(jié)束后，在場師生積極提問，就實驗細(xì)節(jié)和潛在應(yīng)用與兩位老師進(jìn)行了深入的探討。
蔣建華教授作報告
黃鑫副研究員作報告
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