國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試透射電子顯微鏡法》正式實(shí)施
4月1日,由國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局批準(zhǔn)發(fā)布的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試 透射電子顯微鏡法》(GB/T 44558-2024)正式實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所聯(lián)合蘇州納維科技、江蘇省第三代半導(dǎo)體研究院、北京大學(xué)等12家單位共同制定,為 III 族氮化物半導(dǎo)體材料的質(zhì)量評(píng)價(jià)提供了統(tǒng)一依據(jù),對(duì)推動(dòng)我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)范化發(fā)展具有重要意義。??
III族氮化物半導(dǎo)體(如GaN、AlN、InGaN等)是第三代半導(dǎo)體的核心材料,廣泛應(yīng)用于激光顯示、5G通信、高效照明等領(lǐng)域。位錯(cuò)作為材料中的關(guān)鍵缺陷,直接影響器件的性能和壽命,因此精準(zhǔn)的位錯(cuò)成像表征對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。新標(biāo)準(zhǔn)首次系統(tǒng)規(guī)范了利用透射電子顯微鏡(TEM)對(duì)III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試全流程,涵蓋試驗(yàn)條件與設(shè)備、樣品制備、試驗(yàn)步驟與數(shù)據(jù)處理等核心技術(shù)環(huán)節(jié),為材料缺陷分析提供了科學(xué)、可復(fù)現(xiàn)的權(quán)威方法。 ?
標(biāo)準(zhǔn)制定歷時(shí)24個(gè)月,依托蘇州納米所測(cè)試分析平臺(tái)的先進(jìn)設(shè)備和研發(fā)經(jīng)驗(yàn),聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)完成技術(shù)攻關(guān)與驗(yàn)證。通過(guò)多實(shí)驗(yàn)室比對(duì),驗(yàn)證了方法的重現(xiàn)性與可靠性,顯著提升了測(cè)試結(jié)果的可比性。
蘇州納米所測(cè)試分析平臺(tái)秉承建設(shè)高水平公共服務(wù)平臺(tái)高水平服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的理念,在第三代半導(dǎo)體光電子材料領(lǐng)域擁有19年的技術(shù)積累,擁有國(guó)際先進(jìn)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料與器件加工測(cè)試先進(jìn)大型裝備,在相關(guān)領(lǐng)域高水平科技論文發(fā)表和發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)方面處于國(guó)際領(lǐng)先地位,牽頭制定6項(xiàng)第三代半導(dǎo)體光電子材料的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),2014年獲得CNAS和CMA資質(zhì)認(rèn)定證書(shū)。先后獲批蘇州市納米測(cè)試分析中心、江蘇省納米測(cè)試分析中心、江蘇省納米測(cè)試分析創(chuàng)新服務(wù)中心,2018年經(jīng)專(zhuān)家評(píng)估成為科技部高技術(shù)中心認(rèn)定的戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試中心,在第三代半導(dǎo)體光電子材料檢驗(yàn)檢測(cè)領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。
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