香港科技大學陳敬教授來所交流
12月26日,應半導體顯示材料與芯片重點實驗室邀請,香港科技大學陳敬教授來所開展學術交流,并作題為“多維氮化鎵功率集成”的前沿學術報告。報告會由孫錢研究員主持,吸引了所內眾多師生積極參與。
氮化鎵(GaN)憑借其寬禁帶特性與多樣化異質結結構,已在電力電子和射頻領域展現出巨大潛力。報告會上,陳敬教授指出,憑借高臨界電場、強極化效應等優(yōu)異材料特性,結合低成本、可擴展的硅襯底及與硅工藝兼容的制造技術,氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)技術為功率集成開辟了廣闊空間,有望成為推動數據中心、電動汽車、可再生能源及智能電網等關鍵應用發(fā)展的核心驅動力。
報告中,陳敬教授系統(tǒng)介紹了多維GaN功率集成的最新進展。他探討了平面GaN功率器件的溝道優(yōu)化設計,三維空間拓展,包括如何有效抑制GaN-on-Si平臺中的背柵效應與串擾問題。此外,陳敬教授著重分析了GaN與碳化硅(SiC)的異質集成路徑,指出二者在材料特性上具有互補優(yōu)勢,通過異質集成可進一步提升器件性能與可靠性,實現“強強聯合”。
整 場報告內容豐富、前瞻性強,陳敬教授以深厚的學術積淀與清晰的邏輯脈絡,揭示了寬禁帶半導體功率集成技術的應用前景與發(fā)展趨勢。并圍繞異質集成工藝、器件可靠性及產業(yè)化路徑等問題與在場師生展開了熱烈而深入的交流討論。

報告會現場
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