一直圍繞高質量氮化物半導體材料生長開展工作,開展了與GaN晶格匹配的鋁酸鋰、鎵酸鋰單晶體生長研究,并在鋁酸鋰(100)襯底上用MOCVD方法外延生長出非極性m面GaN(1997年);系統(tǒng)研究了GaN的MOCVD和MBE生長機理,包括起始形核、氮化物的極性選擇、極性控制;率先發(fā)現了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響,是國際上早期發(fā)現InN窄帶隙的研究者之一;加入納米所以來重點圍繞氮化鎵和氮化鋁的單晶生長開展產業(yè)化研發(fā)工作;研制出GaN單晶襯底的HVPE生長系統(tǒng),開發(fā)出2英寸單晶氮化鎵襯底的生產工藝流程,相關成果轉化創(chuàng)辦了蘇州納維科技有限公司,產品全球用戶超過300家,為多種氮化鎵基高端器件的研發(fā)起到了重要支撐;圍繞高質量氮化物材料,開展了相關物性和器件物理的研究,探索氮化物半導體的新應用;關于氮化鎵單晶生長的研究工作入選國家自然科學基金委信息學部十二五優(yōu)秀成果;組織團隊發(fā)展納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術,研制了多臺套相關裝備,在半導體中單個缺陷和低維結構的新奇物性研究中得到應用。發(fā)表SCI論文100余篇,申請專利50余項,國際會議特邀報告20余次,14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)大會共同主席。承擔了國家自然科學基金的面上項目、重點項目、重大儀器研發(fā)項目,科技部973重大研究計劃、863項目、科技部國際合作項目,中科院裝備研制項目,江蘇省重大科技成果轉化專項、重點研發(fā)項目等,以及發(fā)改委戰(zhàn)略新興產業(yè)化示范項目等。